氧化鋁陶瓷基板是一種硬脆型電子陶瓷。透過調節白色熔融氧化鋁粉的牌號和粒徑，此過程分為兩個階段：研磨減薄（粗磨-中磨-細磨）和最終鏡面拋光。主要設備：雙面磨床、平面磨床、CMP（化學機械拋光）機。 1
. 研磨減薄製程（材料去除和平面化，非鏡面拋光）
採用水力分級WA α-Al₂O₃，也稱為剛玉/氧化鋁粉。用於氧化鋁陶瓷基板拋光的白色熔融氧化鋁
粉的技術規格：Al₂O₃ ≥99.5%，Fe₂O₃ ≤0.03%，Na₂O ≤0.18%。必須進行水力分級，並嚴格控製粒徑，以避免邊緣崩裂、微裂紋和刮痕。用於氧化鋁陶瓷基體拋光的常用白色熔融氧化鋁粉末粒度：粗磨：320#、360#——去除數控刀具痕跡並實現大減薄；中磨：400#、500#；半精磨：600#、700#、800#——獲得精細的啞光錶面，Ra 0.2-0.8 μm
2. 最終鏡面拋光（研磨後低Ra鏡面拋光）
鑽石拋光液/鑽石粉末：主流高端解決方案。粒度順序：1-3 μm → 0.5 μm → 0.1 μm。可達到Ra 0.01-0.05 μm的表面粗糙度，材料去除效率高，但成本較高。
超細白色熔融氧化鋁粉末2000#-8000#：中低端鏡面拋光，適用於半鏡面、霧面高光澤表面的低成本選擇。
二氧化矽溶膠（膠體二氧化矽）CMP拋光液：用於高端半導體基板的奈米級超光滑表面化學機械拋光。機械性損傷極小，但去除率低。
氧化鈰拋光粉：硬度相對較低，對氧化鋁基板的切削力較弱。很少用於氧化鋁陶瓷基板的拋光；主要用於玻璃和光學透鏡。
氧化鋁陶瓷基體拋光製程：
切割 → 320#白色熔融氧化鋁粗磨 → 中細磨（400# → 600#） → 精磨（800#） → 鑽石/二氧化矽溶膠鏡面拋光 → 清洗與檢驗